Nykyään teollisuuden käyttöön otetut energiansäästölamput ja elektroniset liitäntälaitteet erikoistransistorit kiinnittävät suurta huomiota varastointiajan hallintaan. Koska varastointiaika ts on liian pitkä, piirin värähtelytaajuus laskee ja koko koneen käyttövirran lisääntyminen johtaa helposti triodin vaurioitumiseen. Vaikka kuristinkelan induktanssia ja muita komponenttien parametreja voidaan säätää ohjaamaan koko koneen tehoa, diskreetti luonne tekee tuotteen johdonmukaisuudesta huonon ja luotettavuuden heikentyneen. Esimerkiksi kvartsilampun elektronisessa muuntajapiirissä transistori, jolla on liian pitkä varastointiaika, voi saada piirin värähtelemään taajuudella, joka on pienempi kuin lähtömuuntajan toimintaraja, mikä johtaa sydämen kyllästymiseen jokaisen jakson lopussa. , joka saa transistorin Ic esiintymään jokaisessa syklissä Piikkejä ja lopulta aiheuttaa ylikuumenemista ja vaurioita laitteeseen.
Jos kahden samalla linjalla olevien transistorin varastointiaika on liian erilainen, koko koneen käyttövirran ylempi ja alempi puoliaallot ovat erittäin epäsymmetrisiä, raskas transistori vaurioituu helposti ja linja myös tuottaa enemmän harmonisia ja sähkömagneettisia häiriöitä.
Käytännön käyttö osoittaa, että tallennusajan tiukka valvonta ja koko piirin oikea säätö voivat vähentää riippuvuutta hFE-parametreista. On myös syytä mainita, että tietyn sirualueen olosuhteissa triodiominaisuudet, virran ominaisuudet ja kestävyysjänniteparametrit ovat ristiriitaisia. Kiinan markkinoilla käytettiin kerran BUT11A:ta 220V40W elektronisena liitäntälaitteena. Lähtökohtana on, että BVceo- ja BVcbo-arvot ovat korkeat. Useimmissa elektronisissa liitäntäpiireissä ei kuitenkaan enää tarvitse valita transistorien jänniteparametreja liian korkeiksi.